La serie Google Pixel 9 se lanzó el mes pasado y han estado circulando rumores sobre su sucesor, la serie Pixel 10. Se ha filtrado el nombre en clave del supuesto teléfono inteligente Pixel 10. Se dice que el Pixel 10 tiene el nombre en código ‘Frankel’, mientras que también se han dado nombres similares a otros teléfonos supuestamente de la próxima serie. La filtración sugiere un supuesto lanzamiento de cuatro modelos el próximo año, continuando la tendencia marcada por la línea Pixel 9.
Se filtraron los nombres de los códigos de la serie Google Pixel 10
Según titulares de Android informeLa serie Google Pixel 10 incluirá cuatro modelos: Pixel 10, Pixel 10 Pro, Pixel 10 Pro XL y Pixel 10 Pro Fold. Los cuatro tenían el nombre en código Frankel, Blazer, Mustang y Rango respectivamente. El informe insinúa efectivamente que Google podría lanzar otro teléfono inteligente plegable el próximo año.
Este desarrollo se basa en una filtración anterior que reveló el nombre en clave de Google Pixel 9a, el único teléfono inteligente de la compañía que debutará antes de la serie Pixel 10 el próximo año. Se espera que el Pixel 9a se lance en mayo del próximo año y puede que tenga el nombre en código ‘Tegu’. Como en años anteriores, este teléfono se unirá a la serie Pixel 9 como la línea de teléfonos inteligentes más nueva de la compañía.
Sin embargo, Google puede cambiar las cosas el próximo año ofreciendo un conjunto de chips más antiguo con el asequible Pixel 9a.
Conjunto de chips Google Pixel 10
Dejando a un lado los nombres en clave, informes anteriores sugirieron que Google puede haber completado el proceso de diseño para el chipset Tensor G5 que impulsará la serie Pixel 10. Se cree que ha llegado a la etapa de “cinta”, lo que efectivamente significa que la tecnología basada en Mountain View. El gigante ahora puede producirlo en una fábrica de fundición y probarlo minuciosamente.
A diferencia de las cuatro generaciones anteriores que se basaban en los chips Exynos de Samsung, se dice que el Tensor G5 ha sido completamente desarrollado internamente. Se espera que se construya utilizando el nodo de 3 nm (N3E) de segunda generación de TSMC, simplificando aún más el proceso N3B inicial.
