La serie Google Pixel 9 se lanzó el mes pasado y los rumores sobre su sucesor, la serie Pixel 10, han comenzado a circular. Se ha filtrado el nombre en clave del supuesto teléfono inteligente Pixel 10. Se dice que el Pixel 10 tiene el nombre en código ‘Frankel’, mientras que también se han dado nombres similares a otros teléfonos que se afirma que pertenecen a la próxima serie. La filtración sugiere un supuesto lanzamiento de cuatro modelos el próximo año, continuando la tendencia marcada por la línea Pixel 9.
Fugas de nombres de código de la serie Google Pixel 10
Según titulares de Android informeLa serie Google Pixel 10 incluirá cuatro modelos: Pixel 10, Pixel 10 Pro, Pixel 10 Pro XL y Pixel 10 Pro Fold. Tenían el nombre en código Frankel, Blazer, Mustang y Rango respectivamente. El informe sugiere efectivamente que Google podría lanzar otro teléfono inteligente plegable el próximo año.
Este desarrollo se basa en filtraciones anteriores que revelaron el nombre en clave de Google Pixel 9a, el único teléfono inteligente de la compañía que debutará antes de la serie Pixel 10 el próximo año. Se espera que el Pixel 9a se lance en mayo del próximo año y puede que tenga el nombre en código ‘Tegu’. Como en años anteriores, se unirá a la serie Pixel 9 como la línea de teléfonos inteligentes más nueva de la compañía.
Sin embargo, Google puede cambiar las cosas el próximo año ofreciendo un conjunto de chips más antiguo con el asequible Pixel 9a.
Conjunto de chips Google Pixel 10
Dejando a un lado los nombres en clave, informes anteriores sugirieron que Google pudo haber completado el proceso de diseño para el chipset Tensor G5 que impulsará la serie Pixel 10. Se cree que ha llegado a la etapa de “cinta de salida”, lo que significa que el gigante tecnológico con sede en Mountain View puede. Ahora prodúzcalo en una fábrica de fundición y pruébelo minuciosamente.
A diferencia de las cuatro generaciones anteriores, que se basaban en chips Exynos de Samsung, se dice que el Tensor G5 fue desarrollado íntegramente internamente. Se espera que se construya utilizando el nodo de 3 nm (N3E) de segunda generación de TSMC, simplificando aún más el proceso N3B inicial.
